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Sketch
BP6211M 是一款高集成度、高性能、自供电的同步整流控制芯片,内置功率 MOSFET,支持 CCM、DCM 和 OR 事情模式,适用于高效率、高功率密度反激变换器应用 。 BP6211M 接纳预关断事情模式,驱动电压凭证功率MOSFET 压降自顺应调解,加上超短的关断延时和高达4A 的驱动下拉电流,能够实现超快的关断速率,使得系统能可靠事情于 CCM 模式 。 BP6211M 芯片内部使用了振铃检测电路,阻止了在DCM模式下由于自由振荡引起误开通而导致的首次级共通问题 。同时内置前沿消隐时间,可以避免寄生振荡误触发MOSFET 提前关断,从而包管同步整流稳固事情 。超短的开通延时可以增添 MOSFET 导通时间以获得尽可能高的效率 。
Advantage

    集成 100V同步整流 MOSFET

    支持 CCM/DCM/QR 事情模式

    自顺应驱动电压,超快关断速率,避免CCM模式首次级共通

    内置振铃检测,避免 DCM 误开通

    可用于正端和负端整流

    芯片自供电,正端整流无需辅助供电绕组

Application area
  • QC/USB-PD/可编程 AC-DC 充电器
  • 高效率电源适配器
  • 高效率、高功率密度反激变换器
Schematic diagram
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Package
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Technical documents
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BP6211M pdf Easy version Full version
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